恒运资本直线涨停！A股盘中，集体拉升，什么情况？

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　　市场活跃度再度回升！

　　11月13日，A股各大指数集体上涨，个股涨多跌少。其中，福建板块大幅拉升，厦工股份、龙洲股份直线涨停，平潭发展、宁德时代、金龙汽车等纷纷跟涨。午后，合兴包装也大幅异动，该股从拉升动作开始，至涨停板，用时仅2分钟。截至下午收盘时，福建板块涨停的个股多达12只。

　　存储芯片概念股今日也集体走强，天奥电子、诚邦股份等多股涨停；佰维存储盘中一度大涨超19%，股价再创历史新高。有分析指出，DRAM与NAND供给紧张，价格持续上行，存储芯片产业正迎来结构性繁荣期。

　　福建板块再度异动

　　在高位横盘近10个交易日后，福建板块今日（11月13日）再度迎来大涨行情恒运资本，通达信福建板块指数涨幅接近4%，创出历史新高。

　　个股方面，开盘10分钟内，厦工股份、龙洲股份就被资金直线拉升至涨停板；下午13时16分，合兴包装也直线拉升，至13时18分，该股封死涨停板；紧随其后，海欣食品也在10分钟内拉升至涨停板。

　　截至下午收盘时，福建板块涨停的股票有12只，分别为龙洲股份、三木集团、东百集团、盛屯矿业（维权）、厦工股份、中国武夷、闽发铝业、金龙汽车、平潭发展、海欣食品、九牧王、合兴包装。其中，三木集团已连续5个交易日涨停，东百集团连续4个交易日涨停。

　　此外，宁德时代放量大涨超7%，创出近1个多月新高，全天成交额接近230亿元。日前，宁德时代董事长曾毓群在2025世界动力电池大会上表示，目前，公司量产的第四代磷酸铁锂电池，在高比能、长寿命、高功率方面，全面领先行业主流的第二代、第三代产品。在此基础上，近期，公司的第五代产品已经开始量产，在能量密度和循环寿命上实现了新的突破。

　　曾毓群还表示，公司今年推出的‘钠新’钠离子电池，有效降低对锂资源依赖，更安全、更低碳，并解决了低温性能痛点，为北方高纬度地区的新能源车普及提供了新路径。而在全固态电池方面，公司的研究和产业化进度也处于全球前列。

　　另据厦门日报11月13日报道，随着全球新能源产业加速升级，绿色低碳产品需求持续释放，福建省锂电池出口呈现强劲增长态势。厦门海关12日发布的数据显示，1月至10月恒运资本，福建省锂电池出口破千亿大关，达到1083.8亿元，创历史同期新高，占同期福建省出口总值的11.3%。

　　作为福建省优势特色产业，锂电池产业以13.7%的显著增长，有力带动福建全省出口整体逆势增长1.3个百分点。据厦门海关介绍，民营企业是福建省锂电池出口的绝对主力。1月至10月，福建省民营企业出口锂电池占比超九成，出口值达1033.4亿元，在全国各省中排名第一。

　　数据显示，1月至10月，欧美仍是福建省锂电池出口的主要市场。同时，新兴市场开拓成效显著，对印度、韩国等出口增长势头迅猛，为出口增长注入新活力。

　　存储芯片概念股走强

　　今日盘中，存储芯片概念股也集体走强，板块指数整体涨幅一度超过2%。截至下午收盘时，存储芯片板块上涨1.6%，天奥电子、诚邦股份、多氟多、万通发展（维权）涨停，佰维存储涨超13%，壹石通、微导纳米涨超12%，兆易创新涨超8%。

　　日前，有外媒报道称，三星电子、SK海力士和铠侠等正在谋划推动NAND价格上调。据悉，三星目前正与海外大型客户讨论明年的供货量，并在内部考虑将价格上调20%至30%以上。与此同时，三星、SK海力士、铠侠、美光这四大存储龙头今年下半年都纷纷削减NAND闪存供应量。报道称，北美大型科技企业担心NAND价格飙升，已开启“恐慌性囤货”，部分供应商明年NAND供货量已被抢订一空。

　　招商证券近日发布研报称，存储芯片产业正迎来结构性繁荣期。HBM、HBF等高带宽存储技术的快速发展，加之产能优先向高端产品倾斜，使得供应商掌握定价权，传统DRAM与NAND供给紧张，价格持续上行。行业巨头如SK海力士与三星电子在HBM市场的领先地位进一步强化其盈利能力，同时带动上游设备、材料、封装厂商及下游AI服务器、云计算与终端设备的配套增长。

　　开源证券指出，在AI超级周期的拉动之下，存储芯片正面临短缺。从需求层面看，AI服务器对存储的需求呈指数级增长，单台AI服务器的DRAM用量约为传统服务器的8倍，NAND用量约为3倍，2025年AI对存储的需求占比来到40%，未来或将进一步提升。

　　此外，HDD的产能紧张也导致SSD为代表的半导体存储渗透加速；供给层面而言，三星、海力士等原厂均表示未来将把大部分资本开支投向持续紧缺的HBM及高利润率的产品。结果而言，据半导体产业观察，传统DRAM可能在2027年后才开始回稳，NAND与高容量存储需求可能会持续至2028年甚至更久，因此，国内存储厂商扩产有望在缺货的情况之下带动份额扩张，扩产的必要性在提升。

　　开源证券表示，从工艺层面而言，存储扩产将会显著带动刻蚀与薄膜设备需求，如3DNAND涉及的关键工艺包含ONON交替沉积、高深宽比通孔刻蚀、孔壁ONO沉积、台阶刻蚀、狭缝刻蚀等；而DRAM涉及的关键工艺包括多重曝光、电容高深宽比刻蚀和沉积、HKMG沉积等。当前国产设备公司在各类工艺取得突破，如北方华创、中微公司部分高深宽比刻蚀设备已经在下游客户产线实现量产，拓荆科技应用于先进制程的薄膜沉积机台也已在Q3实现量产，同时中科飞测明场纳米图形晶圆缺陷检测设备也已进入先进产线验证。因此，持续突破下，存储设备国产化率有望步入增长快车道。

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